这项工作表明，印度亿美元启堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。

计划e)P-LNCM和f)B-LNCM的sXAS的OK-edgeFY模式光谱。结合DFT可以看出，投资在脱锂过程中，相较于正面（102），侧面（003）具有更低的氧空位形成能。

由此可见，动氢NiL-edge峰恢复依赖于掺杂和一次粒子的晶面取向(正面vs侧面)。气生d)P-LNCM和B–LNCM的循环稳定性示意图。与循环前相比，印度亿美元启P-LNCM循环后L3L/L3H比值增加，L2-edge向低能量方向移动。

计划a)P-NCA85和1-NbNCA85第一次充放电循环dqdv-1曲线图。另一方面Nb替代部分Ni，投资聚集在晶界处，稳定晶界处的表面结构。

这是因为随着锂从晶体结构中大量脱出，动氢晶格氧变得不稳定，容易转变成O2从颗粒表面脱出。

气生l)(003)和(102)平面的氧空位形成能。印度亿美元启目前商业上液晶显示背光源采用的主要组合是：460nm蓝光芯片+绿粉β-SiAlON: Eu2++红粉K2SiF6: Mn4+。

计划图4 封装的LED器件的性能a)用窄带绿色荧光粉R3NLSO:8%Eu2+制备的LED器件在20mA电流下的电致发光光谱。b)R4LSO:8%Eu2+的积分发射强度、投资峰值强度和半峰宽随温度升高的变化曲线。

其中，动氢绿粉β-SiAlON: Eu2+的峰值波长约540nm，半峰宽约54nm，还有很大的提升空间。气生b)R4LSO:8%Eu2+和R3NLSO:8%Eu2+表面修饰前后的荧光粉浸泡在水中时的归一化发射强度。